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[发明专利]树脂与异质材料的复合体的制造方法-CN201310493062.6在审
发明人：刘咸柱;韩家伟;刘沙沙 -专利权人：富泰华工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： C23F4/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种树脂与异质材料的复合体的制造方法，包括：首先，提供由异质材料制成的异质材料件，对该异质材料件进行脱脂除油清洗。然后，利用纳米压印在异质材料件表面形成具有多个定位孔的光致抗蚀剂层，再利用电浆蚀刻于异质材料件表面蚀刻出多个微孔，同时对该光致抗蚀剂层进行蚀刻并将其移除。接着，将异质材料件置于一成型模具中加热，再将树脂加热并加压注塑与异质材料件的表面接触，树脂侵入到异质材料件表面的微孔中以与异质材料件结合。该树脂与异质材料的复合体的制造方法既环保又适合量产。
树脂材料复合体制造方法

[发明专利]一种异质结构及其制备方法-CN202310639707.6在审
发明人：欧欣;徐文慧;伊艾伦;游天桂;瞿振宇 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请公开了一种异质结构制备方法，包括提供单晶功能材料基板和异质衬底基板；对单晶功能材料基板进行第一离子注入，以形成第一缺陷层，形成第一缺陷层的单晶功能材料基板呈现翘曲状态；对异质衬底基板进行翘曲调控处理，以形成翘曲调控层，形成翘曲调控层的异质衬底基板呈现翘曲状态；键合形成第一缺陷层的单晶功能材料基板和形成翘曲调控层的异质衬底基板，得到异质键合体；对异质键合体进行剥离，得到目标异质结构。本申请的异质结构制备方法通过使异质衬底基板与单晶功能材料基板均形成翘曲，以减小异质衬底基板与单晶功能材料基板间的键合间隙，进而增强键合波的扩散能力，进而增强键合强度。
一种结构及其制备方法

[发明专利]一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法-CN202111555010.8在审
发明人：吴宏荣;赵军华;李娜;童品森 -专利权人：江南大学
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G01N21/55 文献下载
摘要：本发明公开了一种识别二维三维材料异质结中二维材料层数的光学方法，涉及二维/三维材料共形异质结测量表征技术领域，该方法包括：获取待识别二维/三维材料异质结的光学图像；从颜色厚度对应关系中确定与二维/三维材料异质结的颜色信息对应的二维/三维材料异质结厚度，从待识别二维/三维材料异质结的厚度对应的计算图谱中，得到二维/三维材料异质结的颜色随二维材料层数变化的计算图谱，将待识别二维/三维材料异质结光学图像与计算图谱进行比对，确定二维/三维材料异质结中二维材料的层数本发明基于光学图像与对应关系的比对，可以方便快捷有效的识别光学显微镜观测的二维/三维材料异质结中二维材料层数。
一种识别二维三维材料异质结中层数光学方法

[发明专利]一种减小异质材料焊接变形的方法-CN201911295901.7在审
发明人：李峰;吴建利;沐方清 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十三研究所
申请日： 2019-12-16 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小异质材料焊接变形的方法，所述异质材料为热膨胀系数不同的两种材料，包括以下步骤：获取所述异质材料的物理性能，通过有限元分析对所述异质材料进行焊接仿真，确定所述异质材料焊接应力导致的最大变形量；选择平衡材料，所述第一材料的热膨胀系数记为X ppm/℃，则所述平衡材料的热膨胀系数为X±5ppm/℃。通过有限元分析对所述异质材料和所述平衡材料进行焊接仿真，确定所述平衡材料的厚度；将所述平衡材料与所述第二材料焊接，形成依次为所述第一材料、所述第二材料和所述平衡材料的焊接结构。通过本发明的方法，可以明显减小异质材料焊接变形，防止脆性材料的开裂。
一种减小材料焊接变形方法

[发明专利]基于异质复合材料的表面结构色调控方法-CN201910822879.0在审
发明人：周天丰;刘朋;贺裕鹏;阮本帅;颜培;梁志强;刘志兵;解丽静;焦黎;王西彬 -专利权人：北京理工大学
申请日： 2019-09-02 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于异质复合材料的表面结构色调控方法，采用两种或两种以上热膨胀系数差距较大的材料制备成异质复合材料；根据所需初始结构色色彩控制单个结构色几何图单元的大小以及微结构间距，在异质复合材料表面制备亚微米尺度的微结构阵列结构，从而显示相应的结构色；改变异质复合材料的温度，使异质复合材料的整体弯曲变形，异质复合材料的整体弯曲变形会改变异质复合材料上微结构的间距，从而改变结构色的色彩；本发明通过将结构色制备在对温度敏感的异质复合材料表面，并通过温度改变异质复合材料的整体形貌，从而改变结构色微结构间距大小，进而改变结构色显示颜色，从而实现结构色色彩的动态调控。
异质复合材料结构色改变结构微结构复合材料表面整体弯曲制备变形热膨胀系数微结构阵列亚微米尺度表面结构材料制备单个结构动态调控色彩控制温度敏感整体形貌几何图色显示调控

[发明专利]基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器-CN202210320603.4在审
发明人：刘美萍;唐勇;刘文富;白柳杨 -专利权人：黄淮学院
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： H01L31/0328 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于二维材料InSe/GaAs异质结的三维沟槽硅电极探测器，本发明属于光电探测器技术领域。本发明的电极探测器，包括隔离硅体，所述隔离硅体采用二维材料InSe/GaAs异质结材料，所述二维材料InSe/GaAs异质结为直接带隙的II型异质结构，所述II型异质结构包括Ga端接触的异质结构和As端接触的异质结构；所述Ga端接触的异质结构的带隙为0.62‑1.32eV，所述As端接触的异质结构的带隙为1.84‑1.95eV。二维材料InSe/GaAs异质结相对比单层InSe载流子迁移率大大提升，异质结构扩宽了光吸收范围，增加了对可见光和红外线区域的吸收增强。
基于二维材料 inse gaas 异质结三维沟槽电极探测器

[发明专利]一种分离非晶合金中异质材料的方法-CN201310746656.3在审
发明人：陈建新;张法亮 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： B02C23/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种分离非晶合金中异质材料的方法，其中，该方法包括（1）将带有异质材料的非晶合金结构件加入破碎机破碎并过筛；（2）将经步骤（1）中所述过筛得到的不带有异质材料的筛出料回收；（3）将经步骤（1）中所述过筛得到的带有异质材料的未筛出料返回所述破碎机；（4）重复步骤（1）-（3），直到带有异质材料的未筛出料的量小于所述破碎机要求的最小投料量为止；其中，所述带有异质材料的非晶合金结构件含有非晶合金和异质材料，所述非晶合金的拉伸塑性形变为1%以下，所述异质材料的拉伸塑性形变为3%以上。该方法可以有效实现分离非晶合金中异质材料并回收非晶合金且操作简单安全。
一种分离合金中异质材料方法

[发明专利]利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法-CN200710002678.3有效
发明人：连贵君;熊光成 -专利权人：北京大学
申请日： 2007-01-26 - 公布日： 2008-07-30 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明提供一种利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法，属于半导体器件技术领域。该方法包括：(1)在异质界面的上层材料和下层材料上分别设置若干个电接点；(2)分别在异质界面的上层材料或下层材料上通电流；(3)通过测量上层材料和下层材料的随电流改变的电压变化，分别得到异质界面上层材料和下层材料的电势分布；(4)根据异质界面上层材料和下层材料的电势分布，确定界面的电学特性。利用本发明提供的方法可以制备相应的实验仪器，用于异质界面(包括多种不同材料以及由半导体材料组成的微电子器件异质界面)研究，也可以利用本发明设计新器件。
利用界面两侧电学性能变化识别特性方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202110655982.8在审
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[发明专利]相变存储单元、相变存储器、电子设备及制备方法-CN202210577387.1有效
发明人：陈鑫;李响 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：该相变存储单元包括：相变薄膜，该相变薄膜包括：一层相变材料层和一层异质结层，所述相变材料层与所述异质结层相接触；所述相变材料层采用相变材料形成，所述异质结层采用异质结材料形成；所述异质结材料与所述相变材料的晶格失配度小于或等于20％；所述异质结材料与所述相变材料的接触晶面具有相同的晶格夹角；以及，所述异质结材料的熔点大于所述相变材料的熔点。
相变存储单元存储器电子设备制备方法

[发明专利]一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用-CN202011003961.X有效
发明人：王琦;徐际宇;刘昊;袁学光;柴昭尔;刘凯;任晓敏 -专利权人：北京邮电大学
申请日： 2020-09-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明涉及一种微管式三维异质结器件结构及其制备方法和应用，结构包括：微管式半导体二维材料三维异质结、内壁电极、外壁电极和衬底；内壁电极只与微管式三维异质结的内壁材料形成电接触；外壁电极只与微管式三维异质结的外壁材料形成电接触；内壁电极和外壁电极均与衬底绝缘；微管式半导体二维材料三维异质结为由处于衬底上的半导体二维材料平面异质结自卷曲形成的管状三维异质结。本发明解决了管状三维异质结器件无法制备的问题，工艺简单，可同时实现微管式三维异质结的制备和外壁材料与外壁电极间的电接触，还保证电流只沿径向通过微管式三维异质结而不通过平面异质结，可广泛用于光电探测、光伏
一种微管三维异质结器件结构及其制备方法应用

[发明专利]二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件-CN202011298767.9有效
发明人：方铉;牛守柱;杜鹏;刘晓磊;房丹;王登魁;魏志鹏;王晓华;王菲 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2020-11-18 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L31/0336 文献下载
摘要：本发明提供了一种二维材料异质结结构及其制备方法和应用、光电器件，涉及半导体技术领域，二维材料异质结结构包括：生长于衬底的单原子层或多原子层X‑Y烯异质结薄膜，每层所述X‑Y烯异质结薄膜中X和Y相拼接形成共价键异质结结构本发明的二维材料异质结结构在二维材料内部形成稳定的共价键异质结结构，解决了传统二维材料无法形成真正单原子层的二维异质结，并且所形成的异质结是由范德瓦尔斯力所维系的，材料的稳定性不佳的问题。同时，层内异质结的构成也使得器件制备更加灵活，可以构建层内‑层间异质结复合结构，使得器件性质控制更加多样化。
二维材料异质结结构及其制备方法应用光电器件

[发明专利]一种异质复合电极材料及其制备方法和应用-CN202210352000.2在审
发明人：赵明;李长明;郭春显 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： C25B11/031 文献下载
摘要：本发明公开一种异质复合电极材料，所述异质复合电极材料以泡沫镍为载体，在所述泡沫镍表面形成有具有异质界面结构的Ni3S2/MnS异质复合材料，所述Ni3S2/MnS异质复合材料的Ni3S2晶格和MnS晶格中掺杂有Fe，该异质复合材料具有良好的催化性能和稳定性；本发明还提供一种异质复合电极材料的制备方法，该制备方法简单，适宜规模化，且采用的原料价格成本低，设备简单，具有经济性；本发明另外还公开一种上述异质复合电极材料在碱性电解水领域的应用。
一种复合电极材料及其制备方法应用

[发明专利]异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法-CN201780005921.9有效
发明人：李伟;徐挽杰;徐慧龙;张臣雄 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请实施例提供一种异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法，包括：第一绝缘层覆盖在衬底的上表面，第一异质结材料层覆盖在第一绝缘层的上表面上用于设置源极的一端，源极设置在第一异质结材料层的一端，第一异质结材料层另一端周围设置有第二绝缘层，隔离层设置在异质结层上，隔离层覆盖在源极的内侧；第二异质结材料层覆盖在第一异质结材料层的另一端、第二绝缘层以及第二绝缘层上，与第一异质结材料层形成异质结，漏极设置在第二异质结层上与源极相对的另一端；栅介质层覆盖在第二异质结材料层上位于源极和漏极之间的位置通过设置第二绝缘层进行隔离，显著减小边缘态导致的泄露电流，并利用二维材料形成异质结，避免了因晶格不匹配导致的界面缺陷。
异质结遂穿场效应晶体管及其制备方法

[发明专利]一种利用激光实现两异质材料连接的方法及装置-CN202011580067.9在审
发明人：马修泉;张琳;吴寒;闻锦程;邢胜博 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： B23K26/21 文献下载
摘要：本发明属于激光材料加工相关技术领域，其公开了一种利用激光实现两异质材料连接的方法及装置，该方法包括：将两异质材料上下叠放固定，采用激光从上部对其进行照射，使得上层的异质材料被穿透烧蚀形成孔隙，且下层的异质材料被熔化后扩散至所述孔隙，冷凝后实现两异质材料的稳固连接。本申请通过激光光束使得一种材料被烧结出现孔隙，另一种材料被熔化后流动进入该孔隙中冷凝，实现两异质材料的连接，操作简单，无污染，成本低，便于工业化应用。
一种利用激光实现两异质材料连接方法装置

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